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愛普生晶振,SG-8101CGA晶振,低抖動晶振

頻率：0.67MHZ~170MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

2520mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

訂購熱線：86-0755-27838351

愛普生晶振,SG-8101CGA晶振,低抖動晶振

愛普生株式會社EPSON晶振,愛普生拓優(yōu)科夢,(EPSON—YOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）。1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).

日本精工愛普生晶振接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件(蘇州)有限公司】愛普生拓優(yōu)科夢(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會社與愛普生晶振(中國)有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).

愛普生晶振公司已經(jīng)建立了一個(gè)原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續(xù)為客戶創(chuàng)造新的價(jià)值,并決定使用這個(gè)模型來驅(qū)動前面提到的四個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新.這意味著從頭開始創(chuàng)建產(chǎn)品:創(chuàng)建我們自己的獨(dú)特的核心技術(shù)和設(shè)備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設(shè)計(jì)提供獨(dú)特價(jià)值的產(chǎn)品,生產(chǎn)或制造的藝術(shù)和科學(xué),我們積累了多年的專業(yè)知識,然后生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,貼片晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器,壓控石英水晶振蕩子,等出售給我們的客戶.

愛普生晶振公司加強(qiáng)人力資源的全功能,技術(shù),生產(chǎn),銷售和支持和環(huán)境問題,利用信息技術(shù),推進(jìn)我們的原始制造模式尋求實(shí)現(xiàn)我們的愿景.視野下就像我提到的,我們的目標(biāo)是使用我們的技術(shù)來創(chuàng)建一個(gè)新的連接人的時(shí)代,事物和信息,這樣我相信我們可以成為不可或缺的公司為我們的客戶和社會.

愛普生晶振,SG-8101CGA晶振,低抖動晶振

愛普生KHZ產(chǎn)品分有貼片SMD和圓柱DIP。

KHZ中愛普生是以32.768KHZ最為出名的。32.768K晶振是一款數(shù)字電路板都要使用到的重要部件，有人比喻為電路板的心跳發(fā)生器，也就是說心如果停止了跳動，那么電路板也將無法進(jìn)行穩(wěn)定的工作了。32.768K中愛普生C-002RX是一款受歡迎的圓柱音叉晶振，體積只有2*6mm。與日本KDS的DT-26同體積同參數(shù)。

因此說道的四款型號晶振都是可以相互替換使用的。只是有客戶比較鐘愛某個(gè)品牌，或者是上級有要求一定要用什么品牌的。C-002RX具有的優(yōu)點(diǎn)有

1，超小型、薄型、質(zhì)地輕的音叉圓柱晶振，使焊接更為方便簡單

2，具備優(yōu)良的耐熱性、耐環(huán)境特性

3，金屬外殼的使用使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性。

愛普生除此C-002RX晶振，C-001也是工藝中比較常用到的音叉晶振，體積大概只有3*8mm。只是2*6體積稍微小一點(diǎn)，比較受廣發(fā)消費(fèi)者的愛戴。同此相比，當(dāng)然也有比2*6更小的體積了，例如體積只有5*1.5mm的C-004R圓柱晶振，4.5*1.2mm的C-005R圓柱晶振。價(jià)格相對來說都是比較貴的。因?yàn)轶w積小就意味著占用空間小。

KHZ貼片系列，愛普生在這一系列上做的可是相當(dāng)?shù)淖吭剑瑢?a href="http://www.sz-juxin.cn/EPSONcrystal/TG2016SKA.html" title="http://www.sz-juxin.cn/EPSONcrystal/TG2016SKA.html" target="_blank">貼片晶振最小體積做到了2.05*1.25*0.35mm。在這之前最小的體積基本上就是3.2*1.5mm。愛普生的不斷突破使其在市場上占有絕對的優(yōu)勢。只是這款貼片晶振價(jià)格是相當(dāng)?shù)陌嘿F。因?yàn)槔锩婢サ脑叫。痛砉に囋綇?fù)雜。

該貼片晶振具有的優(yōu)點(diǎn)

1，高精度小型表面貼片型石英晶體諧振器

2, 輕薄型與小型化為高端產(chǎn)品帶來了更大的方便

3，可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性

4，金屬外殼的使用使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性

SG-8101CGA

項(xiàng)目		符號	規(guī)格說明				條件
電源電壓		V_CC	1.80 V Typ.		2.50 V Typ.	3.30 V Typ.
電源電壓		V_CC	1.62 to 1.98V	1.98 to 2.20V	2.20 to 2.80V	2.70 to 3.63 V
輸出頻率范圍		f₀	0.67 MHz to 170 MHz
儲存溫度		T_stg	-40°C to +125°C				裸存
工作溫度		T_use	G: -40°C to +85°C
			H: -40°C to +105°C
			J: -40°C to +125°C
頻率穩(wěn)定度 *1		f_tol	B: ±15 × 10^-6				T_use= -40°C to +85°C
			C: ±20 × 10^-6				T_use= -40°C to +105°C
			J: ±50 × 10^-6				T_use= -40°C to +125°C
			L: ±100 × 10^-6				T_use= -40°C to +125°C
功耗		I_CC	3.3mA Max.	3.4mA Max.	3.5mA Max.	3.6mA Max.	T_use= +125°C		無負(fù)載條件 f₀= 20 MHz
			3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.4mA Max.	3.5mA Max.	T_use= +105°C
			2.7mA Typ.		2.9mA Typ.	3.0mA Typ.	T_use= +25°C
			5.6mA Max.	5.9mA Max.	6.8mA Max.	8.2mA Max.	T_use= +125°C		無負(fù)載條件 f₀= 170 MHz
			5.5mA Max.	5.8mA Max.	6.7mA Max.	8.1mA Max.	T_use= +105°C
			4.7mA Typ.		5.7mA Typ.	6.8mA Typ.	T_use= +25°C
輸出禁用電流		I_dis	3.3mA Max.	3.4mA Max.	3.4mA Max.	3.6mA Max.	T_use= +125°C		OE=GND , f₀ = 170 MHz
輸出禁用電流		I_dis	3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.3mA Max.	3.5mA Max.	T_use= +105°C		OE=GND , f₀ = 170 MHz
待機(jī)電流		I_std	2.3μA Max.	2.5μA Max.	3.0μA Max.	4.2μA Max.	T_use= +125°C		ST = GND
			0.9μA Max.	1.0μA Max.	1.5μA Max.	2.5μA Max.	T_use= +105°C
			0.3μA Typ.	0.4μA Typ.	0.5μA Typ.	1.1μA Typ.	T_use= +25°C
占空比		SYM	45% to 55%				50% V_CC 級
輸出電壓 (DC特性)		V_OH	90% V_CC Min.				I_OH/I_OL Conditions [mA]
							tr / tf	Vcc		A	B	C	D
							默認(rèn) (f₀>40MHz) 快速	I_OH		-2.5	-3.5	-4.0	-5.0
							默認(rèn) (f₀>40MHz) 快速	I_OL		2.5	3.5	4.0	5.0
							默認(rèn) (f₀≦40MHz)	I_OH		-1.5	-2.0	-2.5	-3.0
		V_OL	10% V_CC Max.				默認(rèn) (f₀≦40MHz)	I_OL		1.5	2.0	2.5	3.0
							緩慢	I_OH		-1.0	-1.5	-2.0	-2.5
							緩慢	I_OL		1.0	1.5	2.0	2.5
							A: 1.62 to 1.98 V , B: 1.98 to 2.20 V C: 2.20 to 2.80 V , D: 2.70 to 3.63 V
輸出負(fù)載條件 (CMOS)		L_CMOS	15pF Max.
輸入電壓		V_IH	70% V_CC Min.				OE or ST
輸入電壓		V_IL	30% V_CC Max.				OE or ST
上升/下降時(shí)間	默認(rèn)	tr / tf	3.0 ns Max.				f₀> 40MHz		20% V_CC to 80% V_CC級 L_CMOS=15pF
	默認(rèn)		6.0 ns Max.				f₀ ≦ 40MHz
	快速		3.0 ns Max.				f₀=0.67to170MHz
	緩慢		10.0 ns Max.				f₀=0.67to20MHz
禁用時(shí)間		t_stp	1 μs Max.				從OE和ST 引腳越過30％的Vcc時(shí)測量
啟用時(shí)間		t_sta	1 μs Max.				從OE引腳越過70％的Vcc時(shí)測量
恢復(fù)時(shí)間		t_res	3 ms Max.				從ST引腳跨越70％Vcc時(shí)測量
振蕩器啟動時(shí)間		t_str	3 ms Max.				從Vcc達(dá)到其額定的最小值，1.62 V隨時(shí)間測量
頻率老化		f_aging	這包含在頻率容差規(guī)范				+25°C, 第一年

SG-8101CGA晶振晶體振蕩器有源石英晶振 2520mm晶振

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