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頻率:13.5MHZ~212.5MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
KDS晶振,DSO533SJ晶振,平板電腦晶振
日本株式會社大真空晶振總公司設(shè)立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時間為1959年11月3日,正式注冊成立是在1963年5月8日,當時注冊資金高達321億日元之多,主要從事電子元件石英晶振以及電子設(shè)備生產(chǎn)銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應(yīng)用產(chǎn)品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學(xué)產(chǎn)品,硅晶體時鐘設(shè)備,MEMS振蕩器等.
大真空株式會社KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念”依賴”于”可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和”可靠的公司”.作為全球石英晶振制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現(xiàn)新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO),溫補晶體振蕩器(TCXO),恒溫晶體振蕩器(OCXO),陶瓷諧振器等晶體器件對全球環(huán)境友好.
日本株式會社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內(nèi)外提供世界一流的質(zhì)量和滿意程度高.所生產(chǎn)石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國,英國,德國,到中國,新加坡,泰國和其他亞洲國家.以”依賴”為公司方針,以客戶為導(dǎo)向,創(chuàng)新高效的經(jīng)營管理,努力創(chuàng)造利潤,履行企業(yè)社會責任.
日本大真空株式會社KDS晶振,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,品牌是簡稱(KDS晶振)當時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.
日本大真空株式會社KDS晶振品牌實力見證未來,KDS晶振集團總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺灣,中國天津這些大城市均有壓控晶體振蕩器,貼片晶振,陶瓷霧化片,32.768K鐘表晶振,溫補晶振的生產(chǎn)工廠,而天津KDS晶振工廠是全球石英晶振生產(chǎn)最大量的工廠,自從1993年在天津投產(chǎn)以來,技術(shù)更新從未間斷.
KDS晶振,DSO533SJ晶振,平板電腦晶振
KDS集團將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護公眾健康的同時,努力改進我們的操作.我公司將積極參與加強公眾環(huán)境,健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境,健康和安全問題的注意.
KDS晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標準以及適用的法律法規(guī).為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰(zhàn)略聯(lián)系.
消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準備,以便及時做出反應(yīng).
對我們的產(chǎn)品進行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.
公司的各項能源,資源消耗指標和排放指標達到國內(nèi)領(lǐng)先,國際先進水平.
KDS晶振集團實施創(chuàng)新戰(zhàn)略,進口環(huán)保晶振,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標.
致力于環(huán)境保護,包括預(yù)防污染.在石英晶振晶體產(chǎn)品的規(guī)劃到制造,運行維修等整個過程中,努力提供環(huán)保型的產(chǎn)品和服務(wù).在業(yè)務(wù)活動中,努力節(jié)約資源并節(jié)省能源,致力于減少廢棄物和再生資源的回收利用.在積極公開有關(guān)環(huán)境的信息的同時,通過支持環(huán)?;顒?廣泛地為社會作貢獻.致力于保護生物多樣性和可持續(xù)利用.切實運行環(huán)境管理系統(tǒng)PDmCA(Plan-Do-multiple Check-Act),努力提高環(huán)境性能,不斷改善運用系統(tǒng).
KDS晶振,石英貼片晶振,石英晶體振蕩器在”制造,使用,有效利用,再利用”這樣一個產(chǎn)品生命周期中,努力創(chuàng)造豐富的價值,給社會帶來溫馨和安寧,感動和驚喜,同時為減少環(huán)境影響,努力做好”防止地球變暖,有效利用資源,對化學(xué)物質(zhì)進行管理”,實現(xiàn)與地球的和諧相處.
| 型名 | 記號 | DSO533SJ |
|---|---|---|
| 出力仕様 | - | LVDS |
| 出力周波數(shù)範囲 | fo | 13.5~212.5MHz |
| 電源電圧 | VCC | +2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
周波數(shù)許容偏差 (常溫偏差含む) |
f_tol | ±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
| 保存溫度範囲 | T_stg | -40~+85℃ |
| 動作溫度範囲 | T_use | -10~+70℃, -40-+85℃ |
| 消費電流 | ICC | 20mA max. |
| スタンバイ時電流(#1ピン"L") | I_std | 10μA max. |
| 出力負荷 | Load-R | 100Ω (Output-OutputN) |
| 波形シンメトリ | SYM | 45-55% [at outputs cross point] |
| 0レベル電圧 | VOL | - |
| 1レベル電圧 | VOH | - |
| 立上り時間 立下り時間 | tr, tf | 0.4ns max. [20~80% Output-OutputN] |
| 差動出力電圧 | VOD1, VOD2 | 0.247~0.454V |
| 差動出力誤差 | ⊿VOD | 50mV [⊿VOD=|VOD1_VOD2|] |
| オフセット電圧 | VOS | 1.125~1.375V |
| オフセット誤差 | ⊿VOS | 50mV |
| OE端子0レベル入力電圧 | VIL | VCC×0.3 max. |
| OE端子1レベル入力電圧 | VIH | VCC×0.7 min. |
| 出力ディスエーブル時間 | tPLZ | 200ns |
| 出力イネーブル時間 | tPZL | 2ms |
| ピリオド ジッタ(1) | tRMS | 5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo≦212.5MHz) (σ) |
| tp-p | 33ps typ (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo≦212.5MHz) (Peak to peak) | |
| トータル ジッタ(1) | tTL | 50ps typ (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ (27MHz≦fo≦212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
| 位相ジッタ | tpj |
1.5ps max (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max (27MHz≦fo≦212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz~5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz~20MHz] |
| 梱包単位(3) | - | 1000pcs./reel(φ180) |



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