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ILSI晶振,進(jìn)口貼片晶振,ISM95有源晶體振蕩器

頻率:1.000MHz~60.000MHz

尺寸:2.5*2.0*0.8mm

小體積貼片2520晶振,外觀小型,表面貼片型晶體振蕩器,因本身體積小等優(yōu)勢,適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型(2.5×2.0×0.8mmtyp.)具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
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ILSI晶振,進(jìn)口貼片晶振,ISM95有源晶體振蕩器.有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.

ILSI America LLC提供廣泛的頻率控制產(chǎn)品,我們的主要業(yè)務(wù)是開發(fā)和供應(yīng)基于有源晶振或壓電晶體的產(chǎn)品,其中包括晶體振蕩器以及各種封裝類型的石英或壓電晶體。.我們的晶體振蕩器套件包括我們的時鐘振蕩器,MEMS振蕩器,VCXO,TCXO,TCVCXO和OCXO產(chǎn)品.

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機(jī)器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.

2

ILSI晶振

ISM95晶振

輸出類型

HC-MOS/TTL

輸出負(fù)載

15pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

3.3V

頻率范圍

1.00MHz~60.00MHz

頻率穩(wěn)定度

±25ppm、±50ppm、±100ppm

工作溫度

0℃~+70℃

-10℃~+60℃

-10℃~+70℃

-20℃~+70℃

-40℃~+85℃

保存溫度

-55℃~+125℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動時間

5 ms Max

相位抖動(12兆赫~20兆赫)

1個PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

3

ISM95 2520 OSC

4

機(jī)械振動的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至耐高溫晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

輸出負(fù)載

建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間).

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的SPXO晶體振蕩器產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.

ISM95

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