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Sitime晶振,有源晶體振蕩器,SiT1533進口晶振

頻率:32.768KHZ

尺寸:2.0*1.2*0.55mm

32.768K有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要.

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Sitime晶振,有源晶體振蕩器,SiT1533進口晶振.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

SiTime的MEMS技術起源于博世和斯坦福大學.在我們的創(chuàng)始人創(chuàng)立Sitime晶振之前,他們花了數(shù)年時間,在德國的博世和加州的帕洛阿爾托研發(fā)挽救生命的MEMS解決方案.自2005年成立以來,SiTime公司開發(fā)了幾代先進的kHz和MHz MEMS諧振器,它們具有最高的性能、最小的漂移、最小的尺寸和最好的可靠性.我們還開發(fā)了一個全面的開發(fā)和仿真平臺,確保了我們所有MEMS諧振器的第一個硅成功.SiTime的MEMS諧振器不僅在我們銷售的每一個產(chǎn)品中都有,其他半導體公司也集成了SiTime的MEMS諧振器在它們的SOCs中,提供獨特的、大容量的解決方案,不需要外部時鐘.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術:有源低功耗晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術難題.在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關參數(shù).

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Sitime晶振

SiT1533晶振

輸出類型

LVCMOS

輸出負載

15pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+1.5V~+3.63V

頻率范圍

32.768KHZ

頻率

20ppm

工作溫度

-10℃~+70℃

-40℃~+85℃

保存溫度

-65℃~+150℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動時間

5 ms Max

相位抖動(12兆赫~20兆赫)

1個PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

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SiT1533 2012 32.768K OSC

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電處理:

將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產(chǎn)品部分內(nèi)的石英32.768K晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會導致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會不起振,或者起不到最佳精度.

機械處理

當有源晶振發(fā)生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產(chǎn)品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強大的沖擊已給振蕩器確保在使用前檢查其特點.

輸出負載

建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間).

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.

熱影響

重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英耐高溫晶振產(chǎn)品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

SiT1533

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